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CVD 聚晶金剛石薄膜制備技術(shù)與應(yīng)用，預(yù)計(jì)2032年全球市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到46.34億元 直流等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（DC-PECVD）通過直流電場(chǎng)激發(fā)等離子體，可低溫沉積（甚至室溫），適用于非催化基底，膜基結(jié)合力強(qiáng)，在光電探測(cè)器等領(lǐng)域應(yīng)用潛力顯著。
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