長城基金-鹽城亭湖晚上快餐推薦,鹽城亭湖區(qū)快餐

發(fā)布時(shí)間:2025-08-15 00:08:51 來源:本站原創(chuàng)內(nèi)容

長城基金-鹽城亭湖晚上快餐推薦,鹽城亭湖區(qū)快餐

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氮化鎵,正在反超SiC? 兩種半導(dǎo)體——碳化硅和氮化鎵——正展開一場(毫不夸張地說)激烈的競爭,爭奪能夠在最高溫度下工作的電路。碳化硅芯片曾一度占據(jù)領(lǐng)先地位,工作溫度可達(dá)600°C。但氮化鎵憑借其獨(dú)特的特性,使其在高溫下性能更佳,現(xiàn)已超越碳化硅。賓夕法尼亞州立大學(xué)電氣工程教授 Rongming Chu領(lǐng)導(dǎo)的研究人員設(shè)計(jì)出一款可在800°C(足以融化食鹽)下工作的氮化鎵芯片。

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